Προσομοιώσεις διατάξεων μίκρο- και νάνο-ηλεκτρονικής
Προσομοίωση
ηλεκτρικών
χαρακτηριστικών
υλικών
και
ημιαγωγικών
διατάξεων
σε
2
και
3
διαστάσεις
(2D,
3D).
Εξαγωγή
όλων
των
χαρακτηριστικών
λειτουργίας
τους
όπως
χαρακτηριστικές
ρεύματος-τάσης
(i-V),
χωρητικότητας
(C-V,
C-f),
αξιοπιστίας
(reliability),
θερμών φορέων (hot carriers).
Εξοπλισμός
•
TCAD
Λογισμικό
προσομοίωσης
2D
και
3D
μίκρο
και
νάνο-διατάξεων
(Silvaco
suite:
Devedit,
Athena,
Atlas,
καθώς
και
το
Synopsys:
Sentaurus),
με
δυνατότητα
ενσωμάτωσης των προσομοιωμένων διατάξεων απ’ ευθείας σε λογισμικό SPICE.
•
Υπολογιστικό
σύστημα
υψηλών
επιδόσεων
(δίκτυο
υπολογιστών
με
λειτουργικό
και
λογισμικό σε Linux και MS Windows) για τους υπολογισμούς TCAD.
Δημοσιεύσεις
1
.
T.A.
Oproglidis,
et.
al.,
Analytical
Drain
Current
Compact
Model
in
the
Depletion
Operation
Region
of
Short-Channel
Triple-Gate
Junctionless
Transistors
,
IEEE
Transactions on Electron Devices 64, 66 (2017).
2
.
D.H.
Tassis,
et.
al.,
Source/drain
optimization
of
underlapped
lightly
doped
nanoscale double-gate MOSFETs
, Microelectronic Engineering 87, 2353 (2010).
3
.
N.
Fasarakis,
et.
al.,
Compact
Capacitance
Model
of
Undoped
or
Lightly
Doped
Ultra-Scaled
Triple-Gate
FinFETs
,
IEEE
Transactions
on
Electron
Devices
59,
3306
(2012).
4
.
C.A.Dimitriadis
and
D.H.Tassis,
On
the
threshold
voltage
and
channel
conductance
of polycrystalline silicon thin-film transistors
J. Appl. Phys. 79, 4431 (1996).
5
.
D.H.
Tassis,
et.
al.,
Low
frequency
noise
in
β-FeSi2/n-Si
heterojunctions
,
Appl.
Phys.
Lett. 72, 713, (1998).
ΦΥΣΙΚΟΧΗΜΙΚΟΣ
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΜΟΣ,
ΜΕΛΕΤΗ ΥΛΙΚΩΝ
ΚΑΙ ΔΙΑΤΑΞΕΩΝ
